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半导体行业纯风险损失率表


目录
一、总则
二、术语定义
三、纯风险损失率表构成
四、使用原则和方法
五、纯风险损失率表

一、总则
为准确识别半导体企业在营运过程中的风险，合理确定承保条件，在测算我司半导体行业经营数据，研究报导体行业生产特征的基础上，特制定本损失率表。
本表适用于半导体企业在生产经营过程中面临的物质损失风险和机损险风险。
本表所称半导体企业包括集成电路制造、平面晶体管制造、化合物半导体制造和液晶显示器制造。
本表仅适用于半导体企业整体投保的业务，不适用于半导体企业投保专门设备的业务。

二、术语定义
1、集成电路制造
集成电路制造包括五个阶段：硅片（原料晶圆/原料芯片）制备、芯片制造、芯片测试、芯片封装、芯片终测。
硅片（又称原料晶圆或原料芯片）制备：首先将硅石或硅盐放入炉中熔解提炼，形成冶金级硅；将冶金级硅与盐酸反应，生成三氯氢硅；然后，经过分馏得到半导体要求的高纯度三氯氢硅；分馏得到的高纯度三氯氢硅再次用氢还原，得到高纯度但结构较乱的多晶硅；把高纯多晶硅放在水冷却的真空炉中通过电加热到1400℃以上，以一块单晶硅为晶种，生长成硅晶体；把收集到的硅晶体在高温下整形，采用旋转拉伸的方式得到圆柱体的硅锭；然后经切片、圆边、研磨、抛光、包装等多道工序，得到符合要求的晶棒。把晶棒切成薄片，经磨片倒角、刻蚀、抛光、清洗后，得到硅圆片；
掩膜制作：首先由计算机进行集成电路图形的总体设计，然后由反光图案发生器和分步重复照相机或者电子束平版印刷机制备最终的电路。
芯片制造：裸露的硅片经过清洗、成膜、光刻、刻蚀和掺杂步骤，加工成具有永久刻蚀在硅片上的一套集成电路。
芯片测试：对单个芯片进行探测和电学测试，拣选出合格的和不合格的芯片，对有缺陷的芯片做标记，合格的芯片继续进入下道工序。
芯片封装：共分为四个层次：用封装外壳将芯片封装成单芯片组件（Single Chip